DMPH4025SFVWQ-13 Preise (USD) [231556Stück Lager]
- 1 pcs$0.15973
- Artikelnummer:
- DMPH4025SFVWQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ-13 elektronische Komponenten. DMPH4025SFVWQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMPH4025SFVWQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMPH4025SFVWQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMPH4025SFVWQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.7A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1918pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.3W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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