PSMN165-200K,518 Preise (USD) [39Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PSMN165-200K,518
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMN165-200K,518 elektronische Komponenten. PSMN165-200K,518 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMN165-200K,518 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PSMN165-200K,518 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PSMN165-200K,518
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1330pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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