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- Artikelnummer:
- FQI3N25TU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQI3N25TU elektronische Komponenten. FQI3N25TU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQI3N25TU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQI3N25TU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQI3N25TU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK (TO-262)
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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