Infineon Technologies - BSS192PH6327XTSA1

KEY Part #: K6421359

BSS192PH6327XTSA1 Preise (USD) [485547Stück Lager]

  • 1 pcs$0.07656
  • 1,000 pcs$0.07618

Artikelnummer:
BSS192PH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSS192PH6327XTSA1 elektronische Komponenten. BSS192PH6327XTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS192PH6327XTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS192PH6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSS192PH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Serie : SIPMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT89
Paket / fall : TO-243AA

Sie könnten auch interessiert sein an