Nexperia USA Inc. - PSMN8R7-100YSFX

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Artikelnummer:
PSMN8R7-100YSFX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMN8R7-100YSFX elektronische Komponenten. PSMN8R7-100YSFX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMN8R7-100YSFX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R7-100YSFX Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSMN8R7-100YSFX
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38.5nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 198W
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669

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