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- Artikelnummer:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI5513CDC-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI5513CDC-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI5513CDC-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI5513CDC-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
285pF @ 10V
Leistung max :
3.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
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