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- Artikelnummer:
- EPC2101ENG
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2101ENG elektronische Komponenten. EPC2101ENG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2101ENG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2101ENG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2101ENG
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 30V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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