Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1600ANH,L1Q

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Artikelnummer:
TPN1600ANH,L1Q
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN1600ANH,L1Q Produkteigenschaften

Artikelnummer : TPN1600ANH,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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