DMHC10H170SFJ-13 Preise (USD) [151401Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMHC10H170SFJ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13 elektronische Komponenten. DMHC10H170SFJ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMHC10H170SFJ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMHC10H170SFJ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMHC10H170SFJ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1167pF @ 25V
Leistung max :
2.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
12-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
V-DFN5045-12
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