RQ3P300BETB1 Preise (USD) [86912Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ3P300BETB1
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RQ3P300BETB1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ3P300BETB1
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1250pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta), 32W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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