Diodes Incorporated - ZXMN2A05N8TA

KEY Part #: K6413852

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    Artikelnummer:
    ZXMN2A05N8TA
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN2A05N8TA elektronische Komponenten. ZXMN2A05N8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN2A05N8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN2A05N8TA Produkteigenschaften

    Artikelnummer : ZXMN2A05N8TA
    Hersteller : Diodes Incorporated
    Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : -
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : -
    Betriebstemperatur : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SO
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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