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- Artikelnummer:
- BS107P
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BS107P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BS107P
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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