Infineon Technologies - SPA11N60CFDXKSA1

KEY Part #: K6417867

SPA11N60CFDXKSA1 Preise (USD) [43916Stück Lager]

  • 1 pcs$0.89034
  • 500 pcs$0.79491

Artikelnummer:
SPA11N60CFDXKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPA11N60CFDXKSA1 elektronische Komponenten. SPA11N60CFDXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPA11N60CFDXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA11N60CFDXKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SPA11N60CFDXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Sie könnten auch interessiert sein an
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.