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- Artikelnummer:
- SI1072X-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V SC89.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1072X-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI1072X-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1072X-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI1072X-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI1072X-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V SC89
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
93 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
236mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-89-6
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
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