DMN1250UFEL-7 Preise (USD) [217086Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1250UFEL-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 8V 24V U-QFN1515-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7 elektronische Komponenten. DMN1250UFEL-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN1250UFEL-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN1250UFEL-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1250UFEL-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 8V 24V U-QFN1515-1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 6V
Leistung max :
660mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
12-UFQFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
U-QFN1515-12
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