Artikelnummer :
IPU60R2K0C6AKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO-251
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Verlustleistung (max.) :
22.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA