SSM6L09FUTE85LF Preise (USD) [911513Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM6L09FUTE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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SSM6L09FUTE85LF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6L09FUTE85LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20pF @ 5V
Leistung max :
300mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
US6
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