VS-GB600AH120N Preise (USD) [359Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GB600AH120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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VS-GB600AH120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GB600AH120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
910A
Leistung max :
3125W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 600A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
41nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (5)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
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