Artikelnummer :
APTM120DU29TG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
374nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10300pF @ 25V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP4