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- Artikelnummer:
- STD6N65M2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STD6N65M2 elektronische Komponenten. STD6N65M2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STD6N65M2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STD6N65M2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STD6N65M2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Serie :
MDmesh™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
226pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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