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Microsemi Corporation - APTGTQ100DA65T1G

KEY Part #: K6533110

APTGTQ100DA65T1G Preise (USD) [2828Stück Lager]

  • 1 pcs$15.31114
Artikelnummer:
APTGTQ100DA65T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MODULE - IGBT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTGTQ100DA65T1G elektronische Komponenten. APTGTQ100DA65T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTGTQ100DA65T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ100DA65T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGTQ100DA65T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Boost Chopper
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP1

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