TK17E65W,S1X Preise (USD) [2740Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK17E65W,S1X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK17E65W,S1X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK17E65W,S1X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
165W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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