IXFG55N50 Preise (USD) [4677Stück Lager]
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- 25 pcs$10.65164
- Artikelnummer:
- IXFG55N50
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 48A ISO264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFG55N50 elektronische Komponenten. IXFG55N50 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFG55N50 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFG55N50 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFG55N50
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISO264™
Paket / fall :
ISO264™
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