SQV120N10-3M8_GE3 Preise (USD) [45191Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQV120N10-3M8_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3 elektronische Komponenten. SQV120N10-3M8_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQV120N10-3M8_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQV120N10-3M8_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQV120N10-3M8_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7230pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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