SQ4961EY-T1_GE3 Preise (USD) [118801Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ4961EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ4961EY-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ4961EY-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ4961EY-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ4961EY-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ4961EY-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1140pF @ 25V
Leistung max :
3.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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