SQ4470EY-T1_GE3 Preise (USD) [118801Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ4470EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ4470EY-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ4470EY-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ4470EY-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ4470EY-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ4470EY-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3165pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
7.1W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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