DMN2009LSS-13 Preise (USD) [289449Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN2009LSS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN2009LSS-13 elektronische Komponenten. DMN2009LSS-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN2009LSS-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN2009LSS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN2009LSS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2555pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOP
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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