DMG7N65SCT Preise (USD) [80028Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG7N65SCT
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMG7N65SCT elektronische Komponenten. DMG7N65SCT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMG7N65SCT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMG7N65SCT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG7N65SCT
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
886pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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