ON Semiconductor - FDB7030BL

KEY Part #: K6393742

FDB7030BL Preise (USD) [145998Stück Lager]

  • 1 pcs$0.25461
  • 800 pcs$0.25334

Artikelnummer:
FDB7030BL
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB7030BL elektronische Komponenten. FDB7030BL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB7030BL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB7030BL Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDB7030BL
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1760pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263AB
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB