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ON Semiconductor - FQPF3N80

KEY Part #: K6410598

[14080Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FQPF3N80
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF3N80 elektronische Komponenten. FQPF3N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF3N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF3N80 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQPF3N80
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 900mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 39W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220F
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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