BSC117N08NS5ATMA1 Preise (USD) [164372Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC117N08NS5ATMA1 elektronische Komponenten. BSC117N08NS5ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC117N08NS5ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC117N08NS5ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 22µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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