IXYS - IXTH130N10T

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IXTH130N10T Preise (USD) [28774Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTH130N10T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 130A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH130N10T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH130N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 (IXTH)
Paket / fall : TO-247-3

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