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- Artikelnummer:
- BSS123W-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated BSS123W-7 elektronische Komponenten. BSS123W-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS123W-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSS123W-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS123W-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
Serie :
-
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-323
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
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