PMZ200UNEYL Preise (USD) [1154584Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PMZ200UNEYL
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V SOT883. ESD Suppressors / TVS Diodes 30V N-Channel Trench MOSFET
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PMZ200UNEYL elektronische Komponenten. PMZ200UNEYL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PMZ200UNEYL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PMZ200UNEYL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMZ200UNEYL
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V SOT883
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
89pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1006-3
Paket / fall :
SC-101, SOT-883
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