Artikelnummer :
RJK6015DPM-00#T1
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 10.5A, 10V
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
67nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PFM
Paket / fall :
TO-3PFM, SC-93-3