NXP USA Inc. - BUK753R4-30B,127

KEY Part #: K6400106

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    Artikelnummer:
    BUK753R4-30B,127
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BUK753R4-30B,127 elektronische Komponenten. BUK753R4-30B,127 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK753R4-30B,127 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK753R4-30B,127 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BUK753R4-30B,127
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4951pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 255W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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