Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
160V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3