NVMFS5C670NLWFAFT3G Preise (USD) [204359Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFS5C670NLWFAFT3G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS5C670NLWFAFT3G elektronische Komponenten. NVMFS5C670NLWFAFT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS5C670NLWFAFT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFS5C670NLWFAFT3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS5C670NLWFAFT3G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Ta), 71A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 53µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
61W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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