Artikelnummer :
FQP19N20L
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
140W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3