Infineon Technologies - IRF5800TR

KEY Part #: K6413633

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    Artikelnummer:
    IRF5800TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF5800TR elektronische Komponenten. IRF5800TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF5800TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF5800TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF5800TR
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : Micro6™(TSOP-6)
    Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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