NVMFS5A160PLZT1G Preise (USD) [61718Stück Lager]
- 1 pcs$0.63353
- Artikelnummer:
- NVMFS5A160PLZT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- -60V7.7MOHMSINGLE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS5A160PLZT1G elektronische Komponenten. NVMFS5A160PLZT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS5A160PLZT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFS5A160PLZT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS5A160PLZT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
-60V7.7MOHMSINGLE
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7700pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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