FDB28N30TM Preise (USD) [71985Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB28N30TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB28N30TM elektronische Komponenten. FDB28N30TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB28N30TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB28N30TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB28N30TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Serie :
UniFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
129 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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