SIAA00DJ-T1-GE3 Preise (USD) [302657Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIAA00DJ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 25V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIAA00DJ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIAA00DJ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIAA00DJ-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIAA00DJ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 25V
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.1A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 12.5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall :
PowerPAK® SC-70-6
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