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- Artikelnummer:
- IPI040N06N3GHKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI040N06N3GHKSA1 elektronische Komponenten. IPI040N06N3GHKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI040N06N3GHKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI040N06N3GHKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI040N06N3GHKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11000pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
188W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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