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Microsemi Corporation - APTM100TDU35PG

KEY Part #: K6524316

[3872Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTM100TDU35PG
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100TDU35PG elektronische Komponenten. APTM100TDU35PG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100TDU35PG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100TDU35PG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTM100TDU35PG
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
    Leistung max : 390W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP6
    Supplier Device Package : SP6-P

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