Infineon Technologies - IRLR8103TR

KEY Part #: K6413922

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    Artikelnummer:
    IRLR8103TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 89A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLR8103TR elektronische Komponenten. IRLR8103TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLR8103TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR8103TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRLR8103TR
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 89A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D-Pak
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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