SI4666DY-T1-GE3 Preise (USD) [2982Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4666DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4666DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4666DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4666DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4666DY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4666DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1145pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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