Artikelnummer :
IPD80N04S306ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Teilestatus :
Not For New Designs
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 52µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3250pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63