SI4590DY-T1-GE3 Preise (USD) [227995Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4590DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4590DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4590DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4590DY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4590DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 50V
Leistung max :
2.4W, 3.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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