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- Artikelnummer:
- PMWD19UN,518
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PMWD19UN,518 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMWD19UN,518
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1478pF @ 10V
Leistung max :
2.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-TSSOP
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